英诺赛科
Innoscience全球最大的 8 英寸硅基氮化镓供应商，唯一拥有全电压谱系硅基 GaN 量产能力的 IDM 公司。产品覆盖 30V-1200V 氮化镓器件、驱动与合封方案，累计出货超 20 亿颗，2025 年全球市占率约 32%，并成为英伟达 800V DC 供电架构的唯一国产纯 GaN 供应商。
产品系列
从高压到车规，全电压谱系氮化镓功率器件与集成方案
650V 高压 GaN FET
高压分立INN650 系列分立器件，面向服务器电源与 AIDC 供电，图腾柱 PFC 优选。
23mΩ (INN650DD023EAD) / 21mΩ (INN650TA020E) / 图腾柱 PFC / LLC
700V SolidGaN
集成驱动ISG612x/ISG613x 集成驱动与保护，可直代 IGBT、MOSFET 与 SiC。
集成门钳位 + DESAT / TO247-4L / TOLL / TOLT / 宽栅极输入 8-24V
100V 半桥 SolidGaN
合封驱动ISG3204/ISG3205 两颗 GaN 与半桥驱动合封，最高 5MHz 开关频率。
2×3.2mΩ 集成驱动 / 最高 5MHz 开关 / LGA 5x6.5 顶面散热
中低压 GaN FET
60-200V60V-200V 全系分立器件，低导通电阻大电流，面向高功率密度应用。
100V 最低 1.5mΩ / 300A / 60V 0.9mΩ / 150V/200V QFN 系列
车规 GaN
AEC-QINN040FQ 系列车规认证器件，车载 USB-PD 100W 效率达 97.34%。
AEC-Q 车规认证 / 100W 效率 97.34% / IATF16949 体系
核心技术
GaN 材料特性叠加 IDM 全产业链，构筑高频高效率核心优势
GaN 材料优势
禁带宽度 3-4 倍、击穿场强 11 倍，开关速度提升 20 倍，耐高温 >300°C
高频高效率
结电容仅为硅 MOS 的 1/5-1/10，无反向恢复损耗，适配图腾柱 PFC 与电机驱动
IDM 全产业链
外延-设计-制造-封测一体，苏州基地满载 65K 晶圆/月，100% 自研 IP
车规与可靠性
IATF16949 体系、AEC-Q 认证、15 年可靠性质保，20 亿颗量产验证
应用场景
20 亿颗量产覆盖 AIDC、家电电机、汽车与新能源全行业
AIDC 数据中心
英伟达 800V DC 唯一国产纯 GaN 供应商，DCX/PDB 全链路
家电与电机
冰箱压缩机、空调风机、洗衣机，与美的战略合作
汽车电子
LiDAR 70A 脉冲驱动、OBC、DC/DC，车规量产导入
消费电子
手机充电器、笔记本适配器，氮化镓已进入手机内部
新能源与储能
光伏、储能、电池化成设备，22W-22kW 功率全覆盖
机器人与出行
关节电机、无人机、电摩、电助力车等低压高密度场景